BC847CWT3G دیتاشیت

BC847CWT3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC847CWT3G
حجم فایل 70.105 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت BC847CWT3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi BC847CWT3G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 420@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@100mA,5mA
  • Package: SC-70
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه